Design und Entwicklung einer High-Electron-Mobility Transistor Technologie für Leistungsbauelemente zur Charakterisierung von epitaktisch gewachsenem Galliumnitrid auf 150 mm Si-Wafern
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Gesponsert Design und Entwicklung einer High-Electron-Mobility Transistor Technologie für Leistungsbauelemente zur Charakterisierung von epitaktisch gewachsenem Galliumnitrid auf 150 mm Si-Wafern
29.90 EUR
Preis aktualisiert am: 19-02-2026 12:00:49
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Preis aktualisiert am: 19-02-2026 12:00:49 | Bezeichner | |
|---|---|
| ISBN | Books On Demand 3746097819 |
| MPN | Books On Demand 9783746097817 |
| Abmessungen / Gewicht | |
| Hauptmerkmale | |
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