DDR4 KINGSTON 4GB 3200
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Precio actualizado el: 16-05-2026 07:34:22
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Precio actualizado el: 16-05-2026 07:34:22 | Identificadores | |
|---|---|
| Modelo | Kingston KVR32N22S6/4 |
| MPN | Kingston KVR32N22S6/4 |
| Dimensiones / Peso | |
| Características principales | |
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Acorde RoHS Indica si el producto está fabricado de acuerdo con la normativa RoHS (Restriction of Hazardous Substances), que restringe el uso de ciertas sustancias peligrosas en equipos eléctricos y electrónicos.
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Sí |
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Altura Medida de la longitud vertical de un objeto físico, expresada en unidades de longitud (por ejemplo milímetros, centímetros o pulgadas). Se interpreta como la distancia desde el punto más bajo hasta el punto más alto del componente o producto.
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31,2 mm |
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Ancho Medida de la distancia horizontal entre los bordes laterales de un objeto o componente, expresada como una longitud numérica con unidad (por ejemplo, milímetros o centímetros). Se utiliza para comparar el tamaño físico y determinar la compatibilidad con espacios específicos.
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133,3 mm |
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Clasificación de memoria Tipo de tecnología de la memoria RAM, como DDR3, DDR4, DDR5 o LPDDR3. Este atributo indica el estándar físico y de rendimiento que utiliza el módulo, lo cual es esencial para verificar compatibilidad con la placa base y determinar las velocidades máximas soportadas.
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1 |
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Componente para Indica el tipo de pieza o módulo que constituye un producto, como placa base, procesador, memoria RAM, disco duro u otro elemento electrónico. El valor se expresa como texto libre sin unidades y permite identificar la función principal del componente dentro de una configuración más amplia.
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PC/servidor |
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Diseño de memoria Indica cuántos módulos de memoria están incluidos en el producto y la capacidad individual de cada uno, expresada con su unidad habitual (por ejemplo, GB). Este atributo ayuda a comprender la configuración interna de la memoria y facilita comparaciones entre productos.
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1 x 4 GB |
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ECC Indica si el producto cuenta con la característica o función especificada. El valor puede ser "Sí" (disponible) o "No" (no disponible).
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No |
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Estándar JEDEC Identificador del estándar JEDEC que aplica al producto, expresado como un nombre o código (por ejemplo, "JEDEC DDR5", "JEDEC SDRAM"). Este valor indica la especificación de memoria o componente a la que el artículo se ajusta y permite comparar compatibilidad con otros dispositivos.
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Si |
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Forma de factor de memoria Indica la configuración física o el diseño estructural del módulo de memoria, como SO‑DIMM, DIMM, UDIMM, etc. Este atributo ayuda a identificar el tipo de ranura y la compatibilidad con los dispositivos que lo utilizan.
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288-pin DIMM |
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Intervalo de temperatura de almacenaje Rango de temperaturas en el cual un producto puede almacenarse sin riesgo de deterioro o daño, expresado como intervalo mínimo y máximo con unidad °C.
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-55 - 100 °C |
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Intervalo de temperatura operativa Rango de temperaturas en el que un producto puede operar sin riesgo de deterioro o mal rendimiento, expresado como intervalo mínimo y máximo con unidad °C.
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0 - 85 °C |
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Latencia CAS Tiempo de respuesta entre la solicitud de acceso a memoria y el momento en que los datos están disponibles, medido en ciclos de reloj o milisegundos. Indica cuán rápido responde un módulo de memoria al acceder a una posición específica.
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22 |
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Memoria interna Capacidad de almacenamiento interno disponible en el dispositivo, expresada con su unidad de medida (por ejemplo, GB o MB). Indica la cantidad total de memoria que puede utilizarse para instalar aplicaciones, guardar datos y ejecutar el sistema operativo.
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4096 MB |
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Programador de potencia de voltaje VPP Valor numérico que indica la tensión eléctrica a la que se programa el dispositivo o componente. Se expresa en voltios (V) y puede representar un valor único o un rango, por ejemplo "2.5 V" o "1.8–2.5 V". Este atributo es esencial para garantizar la compatibilidad con la fuente de alimentación y evitar sobrecargas.
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2,5 V |
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Tiempo activo en fila Duración que un componente o dispositivo permanece activo dentro de una cola o proceso, expresada en unidades de tiempo (por ejemplo, nanosegundos). Este valor indica la latencia o el tiempo de espera que experimenta el elemento antes de ser atendido y es útil para evaluar el rendimiento y la eficiencia de sistemas concurrentes.
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32 ns |
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Tiempo de actualización de ciclo de fila Duración que tarda un componente en actualizar una fila o línea de datos dentro de su ciclo operativo, medida en unidades de tiempo (por ejemplo, nanosegundos). Este valor indica la rapidez con la que el dispositivo procesa y refleja cambios en esa fila, siendo útil para comparar rendimiento entre dispositivos electrónicos similares.
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350 ns |
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Tiempo de ciclo de fila Duración que tarda una fila de un circuito o componente en completar su ciclo de operación, medida en unidades de tiempo (nanosegundos). Este valor indica la rapidez con la que el dispositivo procesa cada paso del ciclo y es útil para comparar la eficiencia de diferentes componentes electrónicos.
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45.75 ns |
|
Tipo de memoria con búfer Indica si la memoria RAM cuenta o no con un búfer interno que mejora su rendimiento y estabilidad. Los valores comunes son "Registered (buffered)" para memorias con búfer y "Unregistered (unbuffered)" para memorias sin él.
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Unregistered (unbuffered) |
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Tipo de memoria interna Indica el tipo o modelo de la memoria RAM instalada en un dispositivo, como DDR4‑SDRAM, LPDDR3‑SDRAM, GDDR5, etc. Este atributo ayuda a identificar la arquitectura y compatibilidad de la memoria con el hardware.
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DDR4 |
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Velocidad de memoria del reloj Indica la frecuencia a la que opera el módulo de memoria RAM, expresada en megahertz (MHz). Este valor representa la velocidad con la que el controlador de memoria puede leer y escribir datos, lo cual afecta directamente al rendimiento del sistema.
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3200 MHz |
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Voltaje de memoria El voltaje de la memoria indica el nivel de tensión eléctrica que debe recibir o suministrar una unidad de memoria (RAM, flash, etc.). Se expresa en voltios (V) y puede ser un valor único o un rango. Este atributo es esencial para garantizar la compatibilidad entre la memoria y el controlador del sistema.
|
1.2 V |

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