G.Skill Aegis F4-2666C19S-16GIS Memory Module 16 GB 1 x 16 GB DDR4 2666 MHz

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Identificadores
MPN ITOS-MARKET ML84106
Modelo ITOS-MARKET ML84106
Dimensiones / Peso
Características principales
Canales de memoria
Indica cuántos canales de memoria admite el producto, lo que determina la capacidad de paralelismo y rendimiento en la transferencia de datos entre la CPU y los módulos RAM. Los valores pueden expresarse como texto (por ejemplo, "Dual-channel", "Quad-channel") o numéricamente ("2", "4").
Un canal
Diseño de memoria
Indica cuántos módulos de memoria están incluidos en el producto y la capacidad individual de cada uno, expresada con su unidad habitual (por ejemplo, GB). Este atributo ayuda a comprender la configuración interna de la memoria y facilita comparaciones entre productos.
1 x 16 GB
Latencia CAS
Tiempo de respuesta entre la solicitud de acceso a memoria y el momento en que los datos están disponibles, medido en ciclos de reloj o milisegundos. Indica cuán rápido responde un módulo de memoria al acceder a una posición específica.
19
Latencia de SPD
Tiempo que tarda la memoria DDR en responder a una solicitud de acceso, medido típicamente en milisegundos (ms) o ciclos de reloj. Este valor indica la rapidez con la que el módulo responde y permite comparar rendimiento entre módulos similares.
43
Memoria interna
Capacidad de almacenamiento interno disponible en el dispositivo, expresada con su unidad de medida (por ejemplo, GB o MB). Indica la cantidad total de memoria que puede utilizarse para instalar aplicaciones, guardar datos y ejecutar el sistema operativo.
16384 MB
País de origen
Indica el país o región donde se produce, fabrica o distribuye el artículo. Este atributo ayuda a los usuarios a identificar la procedencia geográfica del producto y puede ser útil para filtrar por preferencias regionales, requisitos de importación o cumplimiento normativo.
Taiwán
Tipo de enfriamiento
Indica el método con que un componente o producto disipa el calor generado durante su funcionamiento, ya sea mediante aire (pasivo), líquido (activo) u otros mecanismos térmicos. Los valores comunes incluyen "Activo", "Pasivo", "Disipador térmico" y variantes específicas de la industria.
Disipador térmico
Tipo de memoria
Indica el tipo o modelo de la memoria de acceso aleatorio (RAM) instalada en un dispositivo, como DDR4‑SDRAM, LPDDR3‑SDRAM, GDDR5, etc. Este atributo ayuda a identificar la arquitectura y compatibilidad de la memoria con el hardware.
288-pin DIMM
Tipo de memoria con búfer
Indica si la memoria RAM cuenta o no con un búfer interno que mejora su rendimiento y estabilidad. Los valores comunes son "Registered (buffered)" para memorias con búfer y "Unregistered (unbuffered)" para memorias sin él.
Unregistered (unbuffered)
Tipo de memoria interna
Indica el tipo o modelo de la memoria RAM instalada en un dispositivo, como DDR4‑SDRAM, LPDDR3‑SDRAM, GDDR5, etc. Este atributo ayuda a identificar la arquitectura y compatibilidad de la memoria con el hardware.
DDR4
Velocidad de memoria del reloj
Indica la frecuencia a la que opera el módulo de memoria RAM, expresada en megahertz (MHz). Este valor representa la velocidad con la que el controlador de memoria puede leer y escribir datos, lo cual afecta directamente al rendimiento del sistema.
2666 MHz
Versión del perfil Intel XMP
Indica la versión específica del perfil Intel XMP (Extreme Memory Profile) que soporta el producto, lo cual determina la capacidad de overclocking y compatibilidad con módulos de memoria RAM compatibles.
2
Voltaje de memoria
El voltaje de la memoria indica el nivel de tensión eléctrica que debe recibir o suministrar una unidad de memoria (RAM, flash, etc.). Se expresa en voltios (V) y puede ser un valor único o un rango. Este atributo es esencial para garantizar la compatibilidad entre la memoria y el controlador del sistema.
1.35 V
Voltaje de SPD 1.2 V
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